Fábrica

Este proyecto de construcción industrial de hormigón consistió en la edificación de una planta de fabricación de semiconductores con muros perimetrales de hormigón moldeado in situ (CIP) de 25 pies de altura, instalados sobre un sistema de encofrado con hueco de 6 pulgadas. Las obras se llevaron a cabo en pleno invierno, lo que exigió una planificación minuciosa del encofrado, la colocación del acero de armadura y los vertidos de hormigón.

El proyecto incluía una losa sobre terreno de entre 20 y 26 pulgadas de espesor, que se colocó sobre el encofrado hueco utilizando varias bombas de hormigón para gestionar los grandes volúmenes de hormigonado. Debido a las limitaciones de la obra, el hormigón se bombeó a través de aberturas en los muros prefabricados y los sistemas de cubierta, lo que a veces requirió instalar bombas adicionales para llegar a las zonas interiores.

Cumplir con el calendario era fundamental, ya que había que terminar de verter el hormigón antes de que las condiciones meteorológicas afectaran a la integridad del encofrado de huecos. Gracias a una planificación detallada de las fases y a una estrecha coordinación con los socios del proyecto, el equipo garantizó una ejecución eficiente y permitió que los siguientes gremios se pusieran en marcha sin retrasos.

Este proyecto contribuye a la creación de unos 600 nuevos puestos de trabajo e impulsa la fabricación de semiconductores en EE. UU., lo que refuerza la capacidad de producción nacional.